退火温度对磁控溅射制备的β-FeSi2薄膜的影响  

Effects of annealing temperature on the sputtered β-FeSi2 film

作　　者：梁艳[1] 谢泉[1] 曾武贤[1] 张晋敏[1] 杨吟野[1] 肖清泉[1] 任雪勇[1] 

机构地区：[1]贵州大学电子科学与信息技术学院,贵州贵阳550025

出　　处：《功能材料》2007年第A01期373-375,共3页Journal of Functional Materials

基　　金：基金项目：国家自然科学基金资助项目（60566001）;教育部博士点专项科研基金资助项目（20050657003）;教育部留学回国科研基金资助项目（教外司（2005）383）;贵州省优秀青年科技人才培养计划资助项目（黔科合人：20050528）;贵州省科技厅国际合作资助项目（黔科合G（2005）400102）;贵州省教育厅重点基金资助项目（05JJ002）;贵州省留学人员科技资助项目（黔人项目（2004）03）

摘　　要：采用磁控溅射的方法，在高真空条件下，沉积金属Fe到Si（100）衬底上，然后通过真空退火炉在不同温度条件下对样品进行热处理，直接形成了β-FeSi2薄膜．采用X射线衍射仪（XRD）对样品进行了晶体结构分析，利用卢瑟福背散射（RBS）对Fe-Si化合物的形成过程中的Fe原子和Si原子的互扩散机理进行了研究，利用扫描电镜（SEM）对样品表面的显微结构进行表征，结果表明，在900℃条件下退火能够得到质量很好的β-FeSi2薄膜，超过这一温度β相将开始向α相转化，到1000℃，β-FeSi2全部转化为α-FeSi2。In this paper, Fe films were deposited on Si （100） substrates by magnetron sputtering method, then annealed at the temperature range of 600℃ to 1000℃ for 2h. The samples were analyzed by X-ray diffraction （XRD）, scanning electron microscope （SEM） and Rutherford backscattering （RBS）. The results show that the film with best microstructure and crystal properties is obtained at the annealing temperature of 900℃ for 2h. The β-FeSi2 phase will begin to transform into α-FeSi2 phase when the temperature above 900℃ and there is only α-FeSi2 at the temperature of 1000℃.

关 键 词：铁硅化物 退火温度 β-FeSi2薄膜 XRD SEM RBS 

分 类 号：O484.1[理学—固体物理]