PLZT（7/40/60）纳米多层膜介电特性研究  

Dielectric properties of PLZT（7/40/60）nanometer multilayer films

作　　者：余大书[1] 焦永恒[1] 宿杰[1] 

机构地区：[1]天津师范大学物理与电子信息学院,天津300074

出　　处：《功能材料》2007年第A02期658-661,共4页Journal of Functional Materials

基　　金：天津市高等学校科学发展基金资助项目（20041022）;天津师范大学青年科研基金资助项目（52LJ39）;天津师范大学自然科学基金资助项目（5RL019）.

摘　　要：经溶胶-凝胶法制备出PLZT（7，40，60）纳米多层膜，对不同温度、不同层数，不同Zr/Ti比的PLZT薄膜的介电性能用精密阻抗分析仪进行介电特性分析。结果表明：煅烧温度的提高、薄膜层数的增加、锆含量的增加等均对PLZT薄膜的相对介电常数和介电损耗均有影响。频率为1kHz，750℃和锆含量为0．45时，薄膜的相对介电常数和介电损耗都最高。The nanosized multilayer PLZT（7/40/60） thin film was prepared by sol-gel process. Precision Impedance Analyzer investigated the samples dielectric properties formed in different temperature, different layered and different quantity of zirconium doped in film. The results show that the PLZTnanosized thin film with perovskite structure formed in different condition was effects directly with the sintering temperature, different layer and different Zr concentration. When frequency is about lkHz, heat treatment is 750℃ and the Zr concentration is 0.45,the comparatively dielectric constant and dielectric loss of film was reach great top.

关 键 词：PLZT 纳米薄膜 介电性能 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]