锰掺杂对PMN-PZT陶瓷介电性能的影响  

Effect of Mn doping on dielectric properties of PMN-PZT ceramics

作　　者：郭婷[1] 姜胜林[1] 张海波[1] 林汝湛[1] 

机构地区：[1]华中科技大学电子科学与技术系,湖北武汉430074

出　　处：《功能材料》2007年第A02期821-823,共3页Journal of Functional Materials

基　　金：新世纪优秀人才支持计划资助项目（NCET-04-0703）;湖北省自然科学基金计划资助项目（2005ABA298）.

摘　　要：研究了锰掺杂对富锆PMN-PZT（铌镁酸铅一锆钛酸铅）陶瓷材料的相组成、微观结构、介电性能等方面的影响，并对实验结果作出物理机理的解释。实验结果表明：适量的锰掺杂有助于陶瓷晶粒的生长，并能有效地降低PMN-PZT陶瓷材料的介电常数和介电损耗，在锰掺杂量为3．0％（原子分数）时，εr：197、tanδ=0．15％，作为用于红外热释电探测器的陶瓷材料具有良好的介电性能。The effect of Mn doping on the phase composition, microcosmic configuration, and the dielectric properties of Zr-rich PMN-PZT ceramics was investigated in details, and the physical mechanism aiming at the results of the experiments was explained. The results show that the proper amount of manganese-doping not only contributes to the growth of ceramic grain, but also can reduce dielectric constant and dielectric loss of PMN-PZT ceramics effectively.The dielectric properties of the ceramics with 3.0at%Mn doping are εr：197,tanδ=0.15% respectively.It is most suitable for fabricating pyroelectric infrared detection.

关 键 词：无机非金属材料 PMN-PZT 锰掺杂 介电性能 

分 类 号：TM282[一般工业技术—材料科学与工程]