P型硅并五苯有机场效应晶体管的研制  

Pentacene organic field-effect transistors based on p-type silicon

作　　者：董茂军[1] 陶春兰[1] 孙硕[1] 李建丰[1] 欧谷平[1,2] 张福甲[1] 

机构地区：[1]兰州大学物理科学与技术学院,甘肃兰州730000 [2]湖南科技大学物理学院,湖南湘潭411201

出　　处：《功能材料》2007年第A02期858-859,共2页Journal of Functional Materials

基　　金：国家自然科学基金资助项目（60676033）.

摘　　要：以P＋＋硅为衬底，热生长SiO2为栅绝缘层，真空蒸发有机半导体材料并五苯作为有源层，射频磁控溅射金作为源、漏电极，成功制作了底接触式并五苯有机场效应晶体管（OFETs）。测试表明在源漏电压为70V时，器件的载流子迁移率μ为：0．31cm^2/V.s。Abstract： The organic field effect transistors had been fabricated using the P＋＋ silicon as substrate, SiO2 by thermally grown as insulator layer, the pentacene by vacuum evaporation as the active layer, and aurum by sputter deposition as source and drain electrodes respectively. The field-effect mobility of 0.3 1cm^2/V.s was tested at VD=70V.

关 键 词：有机场效应晶体管 并五苯 迁移率 

分 类 号：TN321.5[电子电信—物理电子学]