锂掺杂对P型Mg2Si0.6Sn0.4热电性能的影响  

Influence of Li doped on the thermoelectric properties of p-type Mg2-xLixSi0.6Sn0.4

作　　者：殷浩[1] 张倩[1] 朱铁军[1] 赵新兵[1] 

机构地区：[1]浙江大学材料科学与工程学系硅材料国家重点实验室,浙江杭州310027

出　　处：《功能材料》2007年第A04期1362-1364,共3页Journal of Functional Materials

基　　金：基金项目：国家自然科学基金资助项目（50471039,50522203）

摘　　要：采用感应熔炼和真空热压法制备了掺Li的Mg2-xLixSi0.6Sn0.4（X=O，0．03，0．07，0．15，0．3）热电材料,电导率、Seebeck系数及热导率的测量表明，Li在Mg2-xLixSi0.6Sn0.4中起到受主作用，当x=0．07时Li掺杂Mg2-xLixSi0.6Sn0.4具有最好的性能，其功率因子和ZT值的最大值分别在480和600K时达到0.55×10^-3W／（m．K^-2）和0.16。Li contained P-type Mg2-xLixSi0.6Sn0.4（x=O, 0.03, 0.07, 0.15, 0.3） were made by inducing method. The influence of Li on the mechanism of carder transport was discussed. The electrical conductivities, Seebeck coefficients and thermal conductivities were measured. The best power factor and figure of merit reach 0.55×10^-3W/（m.K^-2） at 480 K and 0.16 at 600 K respectively for sample x=0.07.

关 键 词：MG2SI 掺杂 热电性能 优值 

分 类 号：O482.6[理学—固体物理]