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机构地区:[1]浙江大学材料系硅材料国家重点实验室,浙江杭州310027
出 处:《功能材料》2007年第A04期1365-1367,共3页Journal of Functional Materials
基 金:基金项目:国家自然科学基金资助项目(50601022);国家基础研究发展计划“973计划”资助项目(2007CB607502);国家高技术研究发展计划“863计划”资助项目(2007AA032234)
摘 要:利用快速凝固方法制备了(GeTe)x(AgSbTe2)100-x(x=80,85,90)和(Ge1-ySnyTe)85(AgSbTe2)15(y=0.05,0.1,0.2,0.4)系列TAGS热电化合物。所得材料晶体结构属于菱形晶系,晶格常数随X的增加而减小,随Y的增加而增加。(GeTe)85(AgSbTe2)15样品有很好的电学性能,637K时功率因子可达3.40×10^-3W/m.K^2,在中温区(370-670K)功率因子最低值>2.6×10^-3w/m.K^2。掺杂Sn提高了TAGS-85的电导率,但是Seebeck系数大幅下降导致了样品电功率因子下降。(GeTe)x(AgSbTe2)100-x(x=80,85,90) and (Ge1-y SnyTe)85(AgSbTe2)15(y=0.05, 0.1, 0.2, 0.4) thermoelectric materials were prepared by rapid solidification. XRD results showed that the crystal structures belong to rhombohedral crystal system. The lattice parameter decreased with the increase of x, and increased with the increase of y. (GeTe)85(AgSbTe2)15 had the best electric properties,the power factor of which reached a maximum value of 3.40×10^-3 W/m.K^2, and was larger than 2.63×10^-3W/m.K^2 at the intermediate temperature range. Sn substitution increased the electrical conductivity of TAGS-85, but decreased the seebeck coefficient, leading to the decrease in the power factor.
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