变温循环热处理对液相外延Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜材料晶体质量的影响  

Effect of Loop Thermal Processing on Crystal of Hg_(1-x) Cd_x Te Thin Film Grown by Liquid Phase Epitaxy (LPE)

作　　者：孔金丞[1] 李艳辉[1] 赵俊[1] 唐利斌[1] 姬荣斌[1] 

机构地区：[1]昆明物理研究所,云南昆明650091

出　　处：《红外技术》2007年第3期140-142,146,共4页Infrared Technology

基　　金：国家自然科学基金(项目编号:60576069);云南省自然科学基金(编号:2004E0055M)

摘　　要：采用X射线衍射双晶回摆曲线半峰宽(FWHM)、反射式X射线形貌相和腐蚀坑密度(EPD)技术对开管变温热处理前后的液相外延(LPE)Hg1-xCdxTe薄膜材料晶体质量进行了研究。变温循环热处理能有效减小液相外延Hg1-xCdxTe薄膜材料的FWHM、释放材料中的应力、减少材料的腐蚀坑密度,说明变温循环热处理是一种简单而有效的改善Hg1-xCdxTe薄膜材料晶体质量的方法。The crystal of Hg1-xCdxTe grown by liquid phase epitaxy （LPE） before and after open-tube loop thermal annealing is studied by X-ray diffraction rocking curve（FWHM）, X-ray topography and etch pit density（EPD）technology. The results show that FWHM and EPD are decreased and the strain can be released by open-tube loop thermal annealing.

关 键 词：开管变温循环热处理 HG1-XCDXTE FWHM 反射式X射线形貌相 EPD 

分 类 号：TN213[电子电信—物理电子学]