GaN外延用新晶体衬底LiGaO_2的生长  

Crystal Growth of LiGaO 2 as a New Substrate for GaN Epitaxy

作　　者：刘琳[1] 刘海润[1] 陈京兰[1] 

机构地区：[1]中国科学院物理研究所

出　　处：《人工晶体学报》1997年第3期317-317,共1页Journal of Synthetic Crystals

摘　　要：ＧａＮ外延用新晶体衬底ＬｉＧａＯ２的生长刘琳刘海润陈京兰（中国科学院物理研究所，北京１０００８０）ＣｒｙｓｔａｌＧｒｏｗｔｈｏｆＬｉＧａＯ２ａｓａＮｅｗＳｕｂｓｔｒａｔｅｆｏｒＧａＮＥｐｉｔａｘｙＬｉｕＬｉｎＬｉｕＨａｉｒｕｎＣｈｅｎＪｉｎｇｌａｎ（...

关 键 词：衬底材料 引上法晶体生长 半导体 氧化镓锂晶体 

分 类 号：TN304.21[电子电信—物理电子学]