K_2Cr_2O_7晶体生长的Shubnikov效应及其单面共生的本质  

Shubnikov Effect and the Nature of One sided Intergrowth on(001)of K 2Cr 2O 7 Crystal

作　　者：周艳平[1] 庄汉锐[1] 温树林[1] H.Follner 

机构地区：[1]中国科学院上海硅酸盐研究所

出　　处：《人工晶体学报》1997年第3期356-356,共1页Journal of Synthetic Crystals

摘　　要：１９２８年Ｅｌｉｎｇ和Ｔｅｒｐｓｔｒａ未发现Ｋ２Ｃｒ２Ｏ７晶体具有压电效应；而１９３０年Ｓｔｅｄｅｈｏｕｄｅｒ和Ｔｅｒｐｓｔｒａ发现了Ｋ２Ｃｒ２Ｏ７晶体在（００１－）面上并未发生粗糙化。１９３１年Ｓｈｕｂｎｉｋｏｖ发表了一组照片，清楚地呈现了Ｋ２Ｃｒ２Ｏ７晶体的（００１）面和（００１－）面具有不对称和不同的结构。１９３２年Ｓｃｈｏｅｐ根据腐蚀坑提出了对称中心存在的假说。１９３５年Ｇｒｅｅｎｗｏｏｄ采用极灵敏仪器也未能确定压电效应。１９５４年和１９５５年Ｐｏｄｉｓｋｏ和Ｓｈｕｂｎｉｋｏｖ再一次指出Ｋ２Ｃｒ２Ｏ７晶体在（００１）面和（００１－）面的不对称腐蚀行为。１９５９年Ｒａｏ用Ｘ射线方法研究了Ｋ２Ｃｒ２Ｏ７晶体，通过统计衍射强度得出结论，Ｋ２Ｃｒ２Ｏ７晶体有一对称中心。１９６４年Ｐａｒｖｏｖ和Ｓｈｕｂｎｉｋｏｖ生长了一块自由悬浮的晶体，６个月内温度逐渐从３０．４℃降低到２９．２℃，（００１－）和（１００）的生长速率是０，再次确定了结构不对称。１９７０年Ｖａｄｉｌｏ认为过饱和度对不对称生长有影响。低过饱和度时两个｛００１｝都光滑，适中过饱和度下靠近容器底部的｛００１｝面粗糙，高过饱和度导致两个｛００１｝都粗糙?

关 键 词：晶体结构 晶体生长 溶液法 铬酸钾晶体 

分 类 号：O614.113[理学—无机化学] O781[理学—化学]