γ-Si_3N_4在高压下的光学性质研究  

Optical Properties of γ-Si_3N_4 under High Pressure

作　　者：丁迎春[1] 徐明[1] 沈益斌[1] 陈青云[1] 段满益[1] 

机构地区：[1]四川师范大学物理与电子工程学院&固体物理研究所,四川成都610066

出　　处：《四川师范大学学报（自然科学版）》2007年第6期755-759,共5页Journal of Sichuan Normal University（Natural Science）

基　　金：四川省教育厅自然科学重点基金资助项目

摘　　要：采用基于密度泛函平面波赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA-PW91),详细计算了不同压力下γ-Si3N4的光学性质(反射系数、吸收系数、复介电常数、折射系数).分析了压力对光学性质的影响,发现在高压条件γ-Si3N4的一些光学性质并不发生太大的变化,表明γ-Si3N4在高压条件下的光学应用是可行的.We have calculated the pressure-dependent optical properties （ reflectivity, absorption, dielectric function and refractive index） of γ- Si3N4 by means of plane wave pseudo-potential method （PWP） with GGA-PW91. Based on the calculated results, we an- alyzed the influence of pressure on the optical properties γ-Si3N4, and discussed the application possibility of γ-Si3N4 in the case of high pressure.

关 键 词：γ-Si3N4 光学性质 高压 第一性原理 

分 类 号：O734[理学—晶体学]