深亚微米ESD保护器件GGNMOS性能分析与设计  

作　　者：薛婧[1] 肖立伊[1] 曾名志[1] 

机构地区：[1]哈尔滨工业大学微电子中心

出　　处：《中国集成电路》2007年第12期46-50,58,共6页China lntegrated Circuit

摘　　要：本文采用MEDICI作为集成电路ESD保护常用器件—栅极接地NMOS管(GGNMOS)ESD性能分析的仿真工具,综合分析了各种对GGNMOS的ESD性能有影响的因素,如衬底掺杂、栅长、接触孔距离等,为深亚微米下ESD保护器件GGNMOS的设计提供了依据。通过分析发现衬底接触孔到栅极距离对GGNMOS器件ESD性能也有一定影响,此前,对这一因素的讨论较少。最后,根据分析结果,给出了一个符合ESD性能要求的器件设计。

关 键 词：ESD MEDICI 深亚微米GGNMOS 

分 类 号：TN402[电子电信—微电子学与固体电子学]