氢原子与H-Si(100)表面作用提取的氢分子角分布研究  

Angle Distribution Study of H_2 Molecules Produced in The Abstaction Reaction of Incident H Atoms on H-Si(100)

作　　者：阳生红[1] CHATELET Marc 

机构地区：[1]中山大学光电材料与技术国家重点实验室//物理科学与工程技术学院 [2]Laboratoire de Physique des Interfaces et des Couches Minces,CNRS,Ecole Polytechnique,91128 Palaiseau Cedex,France

出　　处：《中山大学学报（自然科学版）》2007年第6期30-33,共4页Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni

基　　金：教育部留学回国人员科研启动基金资助项目

摘　　要：利用可旋转四极质谱仪对氢原子束与氢化Si(100)表面作用中氢提取反应产生的氢分子角分布进行了系统的分析。发现氢原子束与氢化Si(100)表面作用中,从氢化Si(100)表面脱附的氢分子具有较宽的角分布,并可以用函数cosnθf(其中n<1)拟合氢分子角分布。脱附的氢分子角分布与Si(100)表面温度和表面重构模型无关。根据硅表面重构机制,用非活性脱氢模型对实验结果进行了合理的解释。With a rotatable quadrupole mass spectrometer （ QMS）, angle distributions of H2 molecules produced in the abstraction reaction of incident H atoms on hydrogenated Si （100） have been investigated. An exceptionally wide angular distribution, which can be fitted by cos^nθf with n 〈 1, was observed. The angular distributions of desorbing n2 molecules are independent of the surface temperature and the surface reconstruction. According to the mechanisms of Si surface reconstructions, these results are interpreted by non-activated pathways.

关 键 词：四极质谱仪 氢化Si(100)表面 脱附 氢分子角分布 

分 类 号：O552.33[理学—热学与物质分子运动论]