WO3薄膜氢致变色机理的研究进展  

Overview of Gaschromics Mechanisms of WO_3 Thin Film to H_2

作　　者：范小花[1] 侯长军[2] 向红[3] 唐一科[4] 

机构地区：[1]重庆科技学院安全工程学院,重庆400042 [2]重庆大学化学化工学院/光电技术及系统教育部重点实验室,重庆400030 [3]重庆大学数理学院,重庆400030 [4]重庆大学机械传动国家重点实验室,重庆400030

出　　处：《材料导报》2008年第1期30-33,共4页Materials Reports

基　　金：国家自然科学基金(10376045);重庆市自然科学基金(8418)资助项目

摘　　要：WO_3有着良好的氢致变色效应,是一种优异的氢敏感材料。对WO_3薄膜氢致变色机理的研究有助于研制出更高灵敏度的WO_3基氢敏传感器。目前,关于WO_3薄膜的氢致变色机理主要有3种模型,即能级模型、价间跃迁模型和色心模型。分别评述了这3种理论,同时结合作者在WO_3薄膜氢敏性能方面的实验研究工作,提出WO_3薄膜氢致变色机理与钨离子在W^(6+)～W^(5+)之间的价间跃迁和O离子的化合环境及含量的变化有关。WO3 is an excellent hydrogen-sensing material, and has good gaschromic property to H2. To study gaschromics mechanisms of WO3 thin film to H2 contribute to developing hydrogen sensors of higher sensitivity. In this paper three main models about the gaschromics mechanisms of WO3 thin film to H2 are introduced, namely, energy model, valence shift model and color center model. Finally, on the basis of the research project on hydrogen-sensing properties of WO3 thin film, it＇s found that the valence transition between W^6＋ and W^5＋ , and the binding energy and relative content of the oxygen are related to gaschromics mechanisms of WO3 to H2.

关 键 词：WO3薄膜 氢致变色 机理 

分 类 号：O484.1[理学—固体物理]