Gd_5Ge_2(Si_(2-x)Al_x)合金的结构和显微组织分析  

Analysis of Structure and Microstructure of Gd_5Ge_2(Si_(2-x)Al_x) Alloys

作　　者：雷宇[1] 罗广圣[1] 辛勇[2] 刘光华[1] 周正有[1] 

机构地区：[1]南昌大学材料科学与工程学院 [2]南昌大学理学院,江西南昌33003

出　　处：《南昌大学学报（工科版）》2007年第4期336-339,共4页Journal of Nanchang University(Engineering & Technology)

基　　金：江西省教育厅科技计划资助项目(赣教技字[2006]25号);南昌大学科学基金项目(Z-03694);江西省高等学校教学改革研究省级课题(JXJG-06-1-30);南京大学固体微结构物理国家重点实验室基金项目(M041916)

摘　　要：利用金相显微镜、扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)及差示扫描量热(DSC)等方法对化合物Gd5Ge2(Si2-xAlx)(x=0,0.1,0.2,0.5,1.0)的结构和显微组织进行了研究。结果表明:随着Al替代Si量的增加,晶格常数(a、c)和晶胞体积(V)均增加。x=1.0时,杂质相明显出现,且主相、杂质相的居里温度会随着x含量的增加而增加。The crystal structure and microstructure of alloys Gd5Ge2（Si2-xAlx）were studied by X-Ray Diffraction（XRD） , Scanning Electronic Microscope（SEM） and Differential Scanning Calorimetry （DSC） methods.The results of experiment indicate that the lattice constants a, c and the unit-cell volume V increase with the increase of the substitution of A1 for Si. The impurity phase exhibites obviously as x= 1.0. The curie temperatures Tc of the main phase and the impurity phase increase obviously with A1 atom content.

关 键 词：显微结构 居里温度 杂质相 差示扫描量热法 

分 类 号：TB303[一般工业技术—材料科学与工程]