利用约束刻蚀剂层技术提高硅的刻蚀分辨率(英文)  

作　　者：祖延兵[1] 谢雷[1] 毛秉伟[1] 穆纪千 谢兆雄[1] 田昭武[1] 孙立宁[2] 

机构地区：[1]厦门大学化学系 [2]哈尔滨工业大学

出　　处：《电化学》1997年第1期11-14,共4页Journal of Electrochemistry

摘　　要：高分辨率刻蚀技术对于微机械及微电子器件的加工具有十分重要的意义，而硅是其中极为重要并占统制地位的材料。近年来，扫描电化学显微镜（ＳＥＣＭ）用于表面加工的研究颇受注目。然而，ＳＥＣＭ刻蚀分辨率往往因为刻蚀剂的横向扩散而受到限制。最近，田昭武等提出的一种可进行高分辨率微加工的新方法——约束刻蚀剂层技术（ＣＥＬＴ），可使刻蚀反应具有高度的距离敏感性，刻蚀分辨率得到极大改善。我们利用ＣＥＬＴ技术刻蚀硅表面，以６０μｍ及１００μｍ直径微电极产生刻蚀剂Ｂｒ２，刻蚀溶液中加入亚砷酸作为Ｂｒ２的捕捉剂刻蚀得到的图案与所用微电极尺寸符合，直径分别约为６０μｍ和１００μｍ。与ＳＥＣＭ方法得到的１１０μｍ和１８０μｍ分辨率相比，刻蚀分辨率得到大幅度提高。

关 键 词：约束刻蚀剂层 CELT 微电子学 硅 刻蚀分辨率 

分 类 号：TN405.98[电子电信—微电子学与固体电子学]