A Near-1V 10ppm/℃ CMOS Bandgap Reference with Curvature Compensation  

一个电压接近1V10ppm/℃带曲率补偿的CMOS带隙基准源(英文)

作　　者：幸新鹏[1] 李冬梅[2] 王志华[1] 

机构地区：[1]清华大学微电子研究所,北京100084 [2]清华大学电子工程系,北京100084

出　　处：《Journal of Semiconductors》2008年第1期24-28,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60475018);北京市科技发展计划(批准号:D0305004040221-2-05)资助项目~~

摘　　要：A low voltage bandgap reference with curvature compensation is presented. Using current mode structure, the proposed bandgap circuit has a minimum voltage of 900mV. Compensated through the VEB linearization technique, this bandgap reference can reach a temperature coefficient of 10ppmFC from 0 to 150℃. With a 1.1V supply voltage,the supply current is 43μA and the PSRR is 55dB at DC frequency. This bandgap reference has been verified in a UMC 0.18μm mixed mode CMOS technology and occupies 0. 186mm^2 of chip area.介绍了一个带曲率补偿的低电压带隙基准源.由于采用电流模结构,带隙基准源的最低电源电压为900mV.通过VEB线性化补偿技术,带隙基准源在0到150℃的温度范围内的温度系数为10ppm/℃.在电源电压为1.1V时,电源电流为43μA,低频的PSRR为55dB.该带隙基准源已通过UMC0.18μm混合信号工艺验证,芯片面积为0.186mm2.

关 键 词：CMOS bandgap reference low voltage curvature compensation 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]