近空间升华法氧气氛下CdTe源的性能  

Properties of CdTe Source Prepared by Close-Spaced Sublimation in O_2 Atmosphere

作　　者：曾广根[1] 黎兵[1] 郑家贵[1] 李愿杰[1] 张静全[1] 李卫[1] 雷智[1] 武莉莉[1] 蔡亚平[1] 冯良桓[1] 

机构地区：[1]四川大学材料科学与工程学院,成都610064

出　　处：《Journal of Semiconductors》2008年第1期133-135,共3页半导体学报（英文版）

基　　金：国家高技术研究发展计划(批准号:2001AA513010);国家自然科学基金(批准号:60506004);博士点基金(批准号:20050610024);四川省应用基础研究(批准号:2006J13-083)资助项目~~

摘　　要：在用近空间升华法制备CdTe多晶薄膜时,由于CdTe源在有O2的环境下多次使用,造成了源表面氧化,进而失效,严重影响所沉积的CdTe多晶薄膜性能.文中研究了多次使用后CdTe源结构形貌、成分等性能.结果表明:多次使用后的CdTe源表面有变黄的趋势,源表面有CdO粉末的存在,经H2在一定条件的高温还原,可以去除表面的氧化物,为源的重复使用奠定基础.We studied the structure configuration and components of CdTe sources,which are often used during the preparation of the CdTe polycrystalline films with the close-spaced sublimation method. Results show that the surface of CdTe sources that are used many times are intended to become yellow, and there are CdO powders on it. The oxide on the surface can be deoxidized by H2 at high temperatures under certain conditions,which establishes a foundation for the repetitive use of CdTe source.

关 键 词：近空间升华 CDTE CDO 

分 类 号：TM911[电气工程—电力电子与电力传动]