二维流体模型的建立及其在微晶硅薄膜中的应用  

The study and application of 2-D model for microcrystalline silicon thin film

作　　者：张发荣[1] 张晓丹[1] Amanatides E Matras D 赵颖[1] 

机构地区：[1]南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,光电信息技术科学教育部重点实验室,天津300071 [2]希腊帕特雷大学等离子体技术实验室,帕特雷26500

出　　处：《光电子．激光》2008年第2期208-212,共5页Journal of Optoelectronics·Laser

基　　金：国家自然科学基金项目(60506003);国家重点基础研究计划资助项目(2006CB202602,2006CB202603);科技部国际合作重点资助项目(2006DFA62390;教育部新世纪人才计划的资助;天津市自然科学基金资助项目(05YFJMJC01600);南开大学博士启动基金资助项目(J02031)

摘　　要：建立二维流体模型,研究甚高频等离子体化学气相沉积(VHF-PEVCVD)高速沉积氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜。模型采用平行电容耦合放电方式。模拟条件与实验条件相同,均为甚高频(70MHz)、高H2稀释SiH4和高压耗尽区域。模型的几何结构是根据实际高速沉积μc-Si:H薄膜的反应腔室建立的。模型是自适应的,建立在玻尔兹曼方程和泊松方程基础之上,包含87个气相反应和25个表面反应。将模拟沉积速率与相同实验条件下的结果相比较,结果发现,模型在微晶区域运行结果与实验结果吻合得很好。A 2-D self-consistent fluid model used for high deposition rate microcrystalline silicon thin film by very high frequency plasma enhanced chemical vapor deposition （VHF PEVCVD） is developed. The model is applied in a parallel plane capacitively coupled plasma reactor at very high frequency of 70 MHz,high diluted silane in hydrogen,and high pressure depletion area. The model which includes 87 volume reactions and 25 surface reactions is self-consistent and based on the Boltzmann equation and Poisson＇s equation. The model results are compared with the experimental data concerning film growth rate,and good agreement is found in microcrystalline region.

关 键 词：甚高频等离子体化学气相沉积(VHF-PEVCD) 微晶硅 二维流体模型 

分 类 号：O484[理学—固体物理]