注入锁定半导体激光器的电路模型及其调制特性分析  被引量:2

Circuit Model of an Injection Locked Semiconductor Laser and Its Modulation Characteristic Analysis

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作  者:毛陆虹 粘华[1,2] 李林林[1,2] 

机构地区:[1]河南省基础及应用科学研究所 [2]郑州大学电子工程系

出  处:《通信学报》1997年第10期86-90,共5页Journal on Communications

基  金:河南省自然科学基金

摘  要:本文给出了注入锁定半导体激光器LD小信号电路模型,使得对注锁LD的调制特性可以用通用电路分析软件进行分析,运用此模型对注入锁定LD的调制特性进行了分析。模型的稳态分析结果与已报导的理论和实验一致。A small signal circuit model of an Injection locked semiconducter laser(LD)is presented in this perper.The model allows the analysis of the modulation characteristics of an Injection locked LD using general circuit analysis software. Some stationary and transient modulation characteristics of an Injection locked LD are analysied by employing the model. The stationary analysis results are in agreement with reported theoretial and experimental data.

关 键 词:半导体激光器 注入锁定 电路模型 

分 类 号:TN248.4[电子电信—物理电子学]

 

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