第一性原理对GanNn(n=2～5)小团簇的结构及电子性质的研究  

First principles study on structure and electronic properties of small Ga_nN_n (n=2～5) clusters

作　　者：葛桂贤[1] 雷雪玲[2] 闫玉丽[3] 杨致[3] 赵文杰[3] 王清林[3] 罗有华[3] 

机构地区：[1]石河子大学师范学院物理系生态物理重点实验室,新疆832003 [2]新疆师范大学数理信息学院,乌鲁木齐830053 [3]河南大学物理与信息光电子学院理论物理研究所,开封475004

出　　处：《原子与分子物理学报》2008年第1期143-148,共6页Journal of Atomic and Molecular Physics

摘　　要：利用密度泛函理论的B3LYP方法在6-31G^＊的水平上对GanNn（n=2～5）团簇的结构进行优化，得到了GanNn（n=2～5）团簇的最稳定结构．并对最稳定结构的电子性质、成键特性和极化率进行分析．结果表明，团簇的最稳定结构为平面结构，且存在着N2和N3单元，说明N—N键在团簇的形成过程中起着决定性的作用；能隙间隔为1．776～3．563eV，表明GanNn（n=2～5）团簇已具有了半导体的性质．Geometric structure and relative stability of GanNn （n = 2-5）clusters are studied by using the hybrid functional-theory （B3LYP） with 6-31G^＊ basis sets. For the most stable isomers of GanNn （n = 2-5） clusters, the electronic properties, bond properties, polarizability are analyzed. The calculated results show that the optimized GanNn （n = 2-5） clusters are planar structure. The most stable structures indicate a preference.for an N2 subunit or N3 subunit, denoting that N-N bonds play a crucial role in stabilizing the cluster. The energy gaps are from 1. 776 to 3. 563 eV, revealing that these cluster may present semiconductor-like properties.

关 键 词：GanNn团簇 最低能量结构 电子性质 

分 类 号：O641[理学—物理化学]