低能离子束诱发大肠杆菌甲基化效应研究  

A Research on Methylation-effect by Low Energy Ion Beam in Escherichia coli

作　　者：王陶[1] 李文[1] 赵世光[1] 谢传晓[2] 姚建铭[1] 余增亮[1] 

机构地区：[1]中国科学院等离子体物理研究所离子束生物工程重点实验室 [2]中国农业科学院作物研究所,北京100081

出　　处：《激光生物学报》2008年第1期19-23,共5页Acta Laser Biology Sinica

基　　金：国家自然科学基金项目(10375066)

摘　　要：表观遗传学是指在DNA序列未发生变化的情况下,基因表达发生可遗传的变化,而甲基化水平的变化是表观遗传效应的重要指标。在构建一种新的敏感大肠杆菌Dam(GATC)位点甲基化检测方法的基础上,探讨了不同种类及剂量低能离子注入甲基缺陷型菌株GM2929前后甲基化水平的变化。结果表明:能量为10keV,剂量为3.9×1015ions/cm2、4.68×1015ions/cm2的氮离子以及能量为10 keV,剂量为4.68×1015ions/cm2的氩离子都不能诱发大肠杆菌甲基化,产生表观遗传效应,可遗传的变异与活细胞甲基化没有关系。Epigeneties is the study of heritable changes in gene expression that occur without a change in DNA sequence, the change of methylation level is one of the major indicators in epigenetic-effect. Based on a new sensitive method, this paper determined the methylation modification at DNA dam （GATC） site in E. coli implanted by different kinds and doses of low-energy ion beam. The results showed that epigenetic-effect could not be induced by N ＋ （ 10 keV, 3.9 × 10^15 ions/cm^2 , 4.68 × 10^15 ions/cm^2 ） and Ar^＋ （ 10 keV, 4.68 × 10^15 ions/cm^2 ） in E. coli, and there was no relationship between methylation and heritable changes.

关 键 词：低能离子束 甲基化 表观遗传效应 大肠杆菌 

分 类 号：Q691[生物学—生物物理学]