高k电介质及其设备  

High-k Dielectric and its Equipment

作　　者：翁寿松[1] 

机构地区：[1]无锡市罗特电子有限公司,江苏无锡214001

出　　处：《电子工业专用设备》2008年第2期7-10,共4页Equipment for Electronic Products Manufacturing

摘　　要："2007年11月,英特尔量产高k电介质45nm微处理器"。它表明高k电介质/金属栅极技术已商业化。它可确保摩尔定律至少再延续10年。但是,ITRS2006修正版指出,高k电介质/金属栅极在低静态功耗(LSTP)逻辑IC的预期应用时间是2008年,高k电介质/金属栅极在高性能和低功耗(LOP)IC的预期应用时间是2010年。制造高k电介质的设备是化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)设备。制造金属栅极的设备是物理气相沉积(PVD)和ALD设备。Intel has mass produced 45nm MPU with high dielectrics in November 2007, It indicates that the producing technique for high k dielectrics metal-gate has achieved commercialization. This will enable Moore＇s law to continue at least 10 years. ITRS 2006 expects the application of high k dielectrics /metal-gate at low static state power （LSTP） logic IC will be in 2008, and high k dielectrics/metal-gate upon high performance and low power （LOP）IC will be in 2010. The equipment for making high k dielectric are CVD or ALD tools, for metal-gate are PVD and ALD tools.

关 键 词：高K电介质 金属栅极 氧化铪 设备 

分 类 号：TN304.055[电子电信—物理电子学]