SnO_2(110)表面电子结构的第一性原理  

Theoretically studying the electrical structure of SnO_2(110) surface with first principle DFT theory

作　　者：金仁成[1] 翁雪军[2] 王立鼎[1] 张五金[2] 

机构地区：[1]大连理工大学微系统研究中心,大连116024 [2]大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室,大连116024

出　　处：《功能材料与器件学报》2008年第1期59-64,共6页Journal of Functional Materials and Devices

基　　金：国家重点基础研究发展计划项目(973)〔2006CB300407〕;国家自然科学基金资助重点项目(90207003)

摘　　要：应用第一性原理DFT(密度泛函理论)研究了具有(1×1)和(2×1)对称性的SnO2(110)氧化表面、还原表面和缺陷表面的几何结构与电子结构,重点分析了表面氧空穴(O vacancy)对表面电子结构的影响以及对气体分子吸附的影响。研究结果表明,由于表面空穴的存在,SnO2(110)表面能隙中都出现了明显的表面态,由于表面氧的流失而留下来的电荷是产生这些表面态的主要原因,这些电荷主要集中在Sn上和附近的空穴中,与这些电荷相关的轨道是氧化物表面吸附研究的关键。Calculation on electrical structure of SnO2 （110） surface of （ 1 × 1 ） and （2× 1 ） symmetry with first principle DFT （density functional theory） is performed. The effect of O vacancies on surface electronic structure and future adsorption is emphasized. Due to the exist of the O vacancies, the surface state originating from the electron left by the removal of oxygen appeared at the band gap, these electrons located on the top of tin atoms and O vacancies, and the orbitals associating with these electrons were considered to be the potential site where adsorption would take place.

关 键 词：SNO2 密度泛函理论 电子结构 能隙 

分 类 号：TN401[电子电信—微电子学与固体电子学]