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机构地区:[1]复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室及AUTO-ID实验室,上海201203
出 处:《Journal of Semiconductors》2008年第3期433-437,共5页半导体学报(英文版)
基 金:国家高技术研究发展计划资助项目(批准号:2005AA1Z1300)~~
摘 要:This paper presents a low voltage, low power RF/analog front-end circuit for passive ultra high frequency (UHF) radio frequency identification (RFID) tags. Temperature compensation is achieved by a reference generator using sub-threshold techniques. The chip maintains a steady system clock in a temperature range from - 40 to 100℃. Some novel building blocks are developed to save system power consumption,including a zero static current power-on reset circuit and a voltage regulator. The RF/analog front-end circuit is implemented with digital base-band and EEPROM to construct a whole tag chip in 0. 18μm CMOS EEPROM technology without Schottcky diodes. Measured results show that the chip has a minimum supply voltage requirement of 0.75V. At this voltage, the total current consumption of the RF/analog frontend circuit is 4.6μA.提出了一种适用于无源超高频射频识别标签的低电压低功耗射频/模拟前端电路.通过引入一个使用亚阈值技术的基准源,电路实现了温度补偿,从而使得系统时钟在-40~100℃的范围内保持稳定.在模块设计中,提出了一些新的电路结构来降低系统功耗,其中包括一种零静态功耗的上电复位电路和一种新的稳压电路.该射频/模拟前端电路采用不带肖特基二极管0.18μm CMOS EEPROM工艺流片实现,它与数字基带、EEPROM一起实现了一个完整的标签芯片.测试结果表明,该芯片的最低电源电压要求为0.75V.在该最低电压下,射频/模拟前端电路的总电流为4.6μA.
关 键 词:RFID TAG low voltage low power temperature compensation
分 类 号:TP391.44[自动化与计算机技术—计算机应用技术]
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