一步法合成高纯度碳化硅粉体的研究  

One-step Synthesis of High Purity Silicon Carbide Powder

作　　者：叶鑫南[1] 赵中玲 兰琳[1] 黄金秋[1] 林昆仑[1] 陈立富[1] 

机构地区：[1]厦门大学特种先进材料实验室,化学化工学院,厦门361005 [2]黑龙江电力职工大学,哈尔滨150003

出　　处：《无机材料学报》2008年第2期243-246,共4页Journal of Inorganic Materials

基　　金：福建省先进陶瓷重大专项基金(2005HZ02-1);福建省重点实验室基金(2006L2003)

摘　　要：利用液态硅为原料,以碳和二氧化硅粉末组成的混合物作为催化剂,通过液态硅与一氧化碳之间的气-液相碳热反应,一步合成了高纯度的碳化硅微细粉体,制得的碳化硅粉体的平均颗粒尺寸为D_(50)=0.41μm.利用XRD、SEM、激光粒度分析和元素分析对粉体进行了表征,并讨论了碳化硅粉体的形成机理.Silicon carbide （SIC） powder was synthesized from liquid silicon in one step at the presence of a catalyst bar consisting of silica and carbon. The silicon carbide powders were formed by the carbothermal reaction between liquid silicon and gaseous CO, and the average particle size （D50） of the as-prepared silicon carbide powder was 0.41μm. The powder was characterized by XRD, SEM, particle size analysis and elemental analysis. The mechanism for the formation of the silicon carbide powder was discussed.

关 键 词：碳化硅粉体 液态硅 气相反应 液相反应 碳热还原 

分 类 号：TB383[一般工业技术—材料科学与工程]