基于温度补偿的1V CMOS电流基准源  

1 V CMOS Current Reference Based on Temperature Compensation

作　　者：朱冬勇[1] 杨银堂[1] 朱樟明[1] 朱文举[1] 徐俊平[1] 

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子研究所,西安710071

出　　处：《半导体技术》2008年第4期339-342,共4页Semiconductor Technology

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60476046);教育部博士点基金资助项目(20050701015)

摘　　要：利用零温度系数偏置点技术和温度补偿技术设计了一个超低压、低功耗的电流基准源。使用亚阈值工作的超低压运放构成带隙基准,对MOS管进行温度补偿,使MOS管工作在零温度系数偏置点。在1V工作电压,TSMC0.25μmCMOS工艺下,用Cadence Spectre仿真,在-20～120℃的温度内,输出电流为19.06μA,温度系数仅为18.7×10^-6,功耗为53.5μW。An ultra-low voltage, low power current reference was presented based on zero temperature coefficient （ZTC） bias point and temperature compensation. A low band-gap voltage reference （BGR） was formed using low voltage amplifier with input pair working in sub-threshold region, and the MOS transistor was compensated by BGR working in the vicinity of ZTC point. At the supply voltage of 1 V, TSMC 0.25 μm CMOS process, within - 20 ～ 120℃, the simulation results from Cadence Spectre indicate that the output current reference is 19.06 μA with the T.C. of 18.7×10^-6, the power dissipation is only 53.5 μW.

关 键 词：零温度系数 温度补偿 超低压 互补型金属氧化物晶体管 电流基准 

分 类 号：TN402[电子电信—微电子学与固体电子学]