利用一种简单方法制备的高质量的p型ZnO薄膜及其性质  

作　　者：毛飞燕[1] 邓宏[1] 戴丽萍[1] 陈金菊[1] 袁兆林[2] 李燕[1] 

机构地区：[1]电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都610054 [2]电子科技大学物理电子学院,四川成都610054

出　　处：《科学通报》2008年第6期623-626,共4页Chinese Science Bulletin

基　　金：成都市科技攻关项目(编号:07GGYB572GX);预研项目(编号:ZJ0508);电子薄膜与集成器件国家重点实验室开放基金项目(批准号:L08010301JX0615)资助

摘　　要：利用化学气相沉积法(chemical vapor deposition,CVD),以Zn4(OH)2(O2CCH3)6.2H2O为固相源、ZnNO3为掺杂源制备出p型ZnO:N薄膜,采用XRD,霍耳效应和PL谱对薄膜进行分析,研究了衬底温度对膜结构、电学性质和光致发光特性的影响.结果表明,生长温度较低时,薄膜呈p型导电特性且电阻率随衬底温度的升高而下降,衬底温度为400℃时,载流子浓度达到+5.127×1017cm3?,电阻率为0.04706?.cm,迁移率为259cm2/(V.s),并且一个月后的测试表明薄膜仍呈p型导电特性.当衬底温度过高时薄膜从p型导电转为n型.

关 键 词：化学气相沉积法 ZnO:N薄膜 P型 迁移率 载流子浓度 

分 类 号：O484[理学—固体物理]