入射光调制对Ce:KNSBN晶体两波耦合的影响  被引量:2

Effect of Incident Beam Modulated on Two Waves Coupling in Ce∶KNSBN Crystal

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作  者:李盼来[1] 郭庆林[1] 李红莲[2] 王志军[1] 张金平[1] 梁宝来[1] 庞立斌[1] 

机构地区:[1]河北大学物理科学与技术学院,河北保定071002 [2]河北大学质量技术监督学院,河北保定071002

出  处:《光子学报》2008年第3期585-588,共4页Acta Photonica Sinica

基  金:河北省自然科学基金(F20060010023)资助

摘  要:研究了入射光调制条件下Ce∶KNSBN晶体两波耦合动态过程.结果表明,入射光调制抑制了光扇噪音对Ce∶KNSBN晶体两波耦合动态过程的影响,提高了透射信号光强度.同时研究了入射光光强比Ip/Is及入射光总光强Io对最佳调制频率及增益改善Gm/Gf的影响.结果显示,同一Io下,Ip/Is为100时,Gm/Gf到达峰值1.52,对应的最佳调制频率为150Hz;同一Ip/Is下,Io为57mW/cm2时,Gm/Gf最大为1.53,对应的最佳调制频率为175Hz.The dynamic evolution of two waves coupling in Ce : KNSBN crystal is studied with the incident beam modulated. The result shows that the beam fanning noise is effectively suppressed, and the transmitted signal light Is is greatly increased. The effect of the ratio of incident beam intensity Ip/Is and the overall incident beam intensity Io (Is+ Ip) on the modulation frequency and gain improvement Gm/Gf are investigated. The results show that it depends on Ip/Is and Io. The peak value of Gm/Gf is 1.52 at Ip/ Is being 100 and 150 Hz under the same Io; the peak value of Gm/Gf is 1.53 at 57 mW/cm^2 and 175 Hz. with the same Ip/Is.

关 键 词:CE:KNSBN晶体 两波耦合 光扇效应 入射光调制 

分 类 号:O438.1[机械工程—光学工程]

 

参考文献:

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耦合文献:

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引证文献:

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