采用功率MOSFET管设计纳秒高电压脉冲产生器  

作　　者：冯仕云 梁勤金 石小燕 

出　　处：《中国工程物理研究院科技年报》2006年第1期216-216,共1页Annual Report of China Academy of Engineering Physics

摘　　要：功率MOS管有能力产生高速纳秒或亚纳秒脉冲，商用装置的速度主要受以下几个固有限制：导线感应系数、栅极、源极、漏极阻抗和驱动节电容，这些因素导致装置的开关转换速度最快约500ps。 在功率模块MOSFET电路设计中，其综合性能主要受限于栅极和源极之间的最大安全电压即关断电压，这也是通过功率模块MOSFET达到电压累积目的所必须考虑的。

关 键 词：MOSFET管 功率MOS管 高电压脉冲 纳秒脉冲 电路设计 产生器 开关转换速度 功率模块 

分 类 号：TN624[电子电信—电路与系统] TN958.92