SiO_2对低温烧结PMSZT压电陶瓷性能的影响  

Properties of Low Temperature Sintering SiO_2-Modified PMSZT Piezoelectric Ceramics

作　　者：何杰[1] 孙清池[1] 

机构地区：[1]天津大学材料科学与工程学院,天津300072

出　　处：《压电与声光》2008年第2期224-227,共4页Piezoelectrics & Acoustooptics

基　　金：天津大学先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室资助项目(x06050)

摘　　要：探讨了低温烧结时SiOz掺杂对锑锰锆钛酸铅Pb（Mn1/3Sb2/3）0.06Zr0．47Ti0.48O3（PMSZT）压电陶瓷性能的影响，通过X-射线衍射及扫描电镜分析Pb（Mn1/3Sb2/3）0.05Zr0.47Ti0.48O3＋w（SiO2）（w=0．05％～0．30％，质量分数）陶瓷的相组成和显微结构。结果表明，合成温度900℃时，可得到钙钛矿结构。w（SiO2）不同时PMSZT试样均为四方相和三方相共存，随着w（SiO2）的增加，三方相在准同型相界中的比例略有增加。当w（SiO2）=0．10％时，得到电性能优良的压电陶瓷，相对介电常数ε33^T／ε0=1290，介质损耗tan δ=0．4％，压电常数d33=264pC／N，机电耦合系数kp=0．59，机械品质因数Qm=3113。SiO2的加入使PMSZT陶瓷的居里温度降低，谐振频率随温度的变化几乎都是正。The effects of SiO2 on the properties of low temperature sintering lead antimony-manganese zirconate titanate Pb （Mn1/3 Sb2/3 ） 0.05Zr0.47 Ti0.48O3 （PMSZT） ceramics were studied. The crystallographic phase, microstructure were investigated by means of XRD and SEM for Pb （Mn1/3 Sb2/3 ）0.05Zr0.47 Ti0.48O3 ＋ w （SiO2） （w = 0.05%-0.30% in mass） ceramics. The results show that pure perovskite structure is obtained at calcination of 900 ℃. With increasing SiO2 content, the Morphotropic phase boundary contained both rhombohedral phases and rhombohedral phase, and rhombohedral phases was a little more. The values of relative dielectric constant ε33^T/ε0 （ 290）, dielectric loss tan δ（0.4%）, piezoelectric constant d33 （264 pC/N）, electromechanical coupling factor kp （0.59） , mechanical quality factor Qm （3 113） are obtained as SiO2 is 0.10% in mass, which exhibit more excellent electric-properties. The Curie temperature moves toward low temperature and the changes of resonant frequency are all positive with temperature increasing.

关 键 词：压电陶瓷 锑锰锆钛酸铅 SIO2 低温烧结 

分 类 号：TM282[一般工业技术—材料科学与工程]