一种直接在镍片上生长氮化硼纳米管膜的方法  

Direct Growth of Boron Nitride Nanotubes Film on Nickel Substrate

作　　者：马延文[1,2] 胡征[3] 

机构地区：[1]南京邮电大学江苏省有机电子与信息显示重点实验室,江苏南京210046 [2]南京邮电大学信息材料与纳米技术研究院,江苏南京210003 [3]南京大学介观化学教育部重点实验室,江苏省纳米技术重点实验室,江苏南京210093

出　　处：《南京邮电大学学报（自然科学版）》2008年第1期83-86,共4页Journal of Nanjing University of Posts and Telecommunications：Natural Science Edition

基　　金：国家自然科学基金(90406021,20774043)资助项目

摘　　要：以球磨无定型硼粉和MgO粉后得到混合粉体为原料,于1150℃氮化反应,直接在镍片上生长出BN纳米管膜。利用X-射线衍射、扫描电子显微镜、高分辨电子显微镜和电子散射能谱等分析手段对产物进行了详尽的结构表征,并初步探讨了BN纳米管膜的形成机制。Boron nitride nanotubes film was directly gown onto nickel substrate by nitriding the ball-milled mixture of amorphous boron and magnesium oxide powder at 1 150℃. The product was fully characterized by X-ray diffraction, scan electron microscopy, high-resolution transmission electron microscopy and energy dispersive X-ray spectrometer. The growth mechanism was also reasonably discussed.

关 键 词：氮化硼 纳米管 薄膜 基片 

分 类 号：O611.4[理学—无机化学] O613.81[理学—化学]