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作 者:乐松[1]
机构地区:[1]暨南大学物理系,广州510632
出 处:《低温物理学报》2008年第2期176-181,共6页Low Temperature Physical Letters
基 金:广东省自然科学基金(项目编号:06301200);暨南大学科研启动基金(项目编号:51207048)资助的课题~~
摘 要:对包括纯的、铷掺杂、钨掺杂的准一维电荷密度波材料蓝青铜系列单晶样品的电阻率温度行为、非线性输运行为进行了比较研究。实验发现,与铷掺杂相比,钨掺杂对样品的电输运特性和派尔斯相变的影响更加剧烈。特别地,对于纯样品和铷掺杂样品,电荷密度波的解钉扎阈值在100K附近表现出极大值行为;而对于钨掺杂样品,阈值行为是单调的。针对以上结果,从蓝青铜在100K附件可能存在的非公度-公度转变以及电荷密度波与样品中杂质缺陷和正常载流子间的相互作用角度进行了讨论。The temperature dependences of the dc resistivity and the nonlinear transport properties in pure, Rb-doped, and W-doped blue bronze K0. 3MoO3 single crystals are presented. In comparison with the Rb doping, W doping has more drastic influence on the electrical transport properties and on the Peierls transition. In particular, the maximum in the temperature dependence of the threshold field for nonlinear transport, observed in pure and Rb-doped samples around 100 K, is absent in W-doped K0. 3MoO3. These results are discussed with respect to the proposed incommensurate-commensurate transition of the charge density wave and its interaction with impurities and normal carriers.
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