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机构地区:[1]西安交通大学电子与信息工程学院,西安710049
出 处:《西安交通大学学报》2008年第4期466-470,共5页Journal of Xi'an Jiaotong University
基 金:国家自然科学基金资助项目(60036010;60476037);国家高技术研究发展计划资助项目(2001AA313090)
摘 要:针对丝网印刷碳纳米管(CNTs)薄膜阴极场发射能力差和寿命短等问题,提出了一种能有效改善其场发射性能的高温烧结和等离子轰击后处理方法.同其他方法相比,该方法避免了直接接触对CNTs膜体造成的机械损伤,能彻底清除CNTs薄膜表面的有机粘合剂,增强CNTs薄膜与衬底的接触,并且烧毁超长的CNTs尖端.场发射特性测试表明,经该方法处理的CNTs薄膜的开启场强为2.6 V/μm,电流密度在场强为9.0 V/μm时达到527×10-6A/cm2.场发射寿命测试显示,该方法处理的CNTs薄膜阴极经点亮200 min后电流密度基本没有衰减,波动也较小.该方法为改善丝网印刷CNTs薄膜阴极的场发射性能提供了一种可行的方案.To solve the problems of field emission capability and short lifetime of screen-printing carbon nanotube (CNT) thin film cathode, a novel post-treatment with high-temperature sintering and plasma bombarding is presented. Compared with existing methods, the treatment can clean the organic bonds on CNT thin film surface perfectly, improve the contact between CNTs and silver electrode effectively and burn the excessively protruded CNT tips without mechanical damage. The field emission tests indicate that, the turn on electric field of the treated CNT thin film cathode is 2, 6 V/μm and the current density reaches 527×10^-6 A/cm^2 at the electric field of 9.0 V/μm The lifetime test reveals that the current degeneration is not found after 200 minutes lighting and the current fluctuation is small. The proposed post-treatment promises the feasibility of enhancing the field emission of screen-printed CNT thin film cathode.
分 类 号:TN27[电子电信—物理电子学] O484[理学—固体物理]
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