一种用于功率IC中高性能PNP管的版图设计  

A layout design of the high-performance PNP transistor in the power IC

作　　者：董艳燕[1] 

机构地区：[1]中国计量学院光学与电子科技学院,浙江杭州310018

出　　处：《中国计量学院学报》2008年第1期78-81,共4页Journal of China Jiliang University

摘　　要：在对传统横向PNP管版图和晶体管寄生效应分析的基础上,提出了一种基于双极工艺的横向PNP管设计方案,并给出了一个适用于功率集成电路中高性能横向PNP输出管的版图设计.Based on an analysis of traditional long PNP transistor＇s layout and its parasitics, a design scheme of long PNP transistor by bipolar technology is proposed. The realization of the layout for high-performance LPNP transistors of power IC is offered.

关 键 词：功率集成电路 高性能PNP管 版图设计 

分 类 号：TN401[电子电信—微电子学与固体电子学]