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机构地区:[1]华北电力大学电气与电子工程学院信息工程系,北京102206
出 处:《强激光与粒子束》2008年第3期469-472,共4页High Power Laser and Particle Beams
基 金:强辐射重点实验室基金资助课题(20050601)
摘 要:以磁绝缘传输线振荡器(MILO)中次级电子倍增效应物理图像为基础,对MILO中发生次级电子倍增效应的各阶共振模进行了计算和分析。结果表明:与基阶共振模相比,高阶共振模发生次级电子倍增效应的敏感区域要小得多,对次级电子倍增效应起主要作用的是基阶共振模;减小或抑制次级电子倍增效应,主要应考虑控制基阶共振模的电子倍增作用。Based on the physical analysis of the multipactor for magnetically insulated transmission line oscillator (MILO), the higher-order resonance modes of multipactor in MILO are analyzed and calculated.The results show that the susceptibility region, in which the multipactor occurs, of the higher-order resonance modes is much smaller than that of the basic resonance mode. so the multipactor discharge is more importance of the basic mode than of the higher-order modes.
关 键 词:磁绝缘传输线振荡器 次级电子倍增效应 敏感曲线 共振模
分 类 号:TN75[电子电信—电路与系统]
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