扩磷多晶硅的反应离子刻蚀  

作　　者：张晓永[1] 朱正涌[1] 

机构地区：[1]清华大学微电子学研究所

出　　处：《半导体技术》1997年第5期29-32,共4页Semiconductor Technology

摘　　要：提出了一种利用普通光刻机获得亚微米、深亚微米刻蚀掩蔽图形的方法：二氧化硅膜过腐蚀法。利用该方法形成的掩蔽图形实现了扩磷多晶硅的高度各向异性反应离子刻蚀，并对其刻蚀机理进行了分析。

关 键 词：扩磷多晶硅 二氧化硅膜 过腐蚀法 深亚微米线条 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学]