电子辐照快速恢复二极管  

作　　者：莫长涛[1] 李钢[1] 

机构地区：[1]黑龙江商学院基础部

出　　处：《半导体技术》1997年第5期59-60,共2页Semiconductor Technology

摘　　要：电子辐照快速恢复二极管莫长涛李钢黑龙江商学院基础部（哈尔滨１５００７６）本试验为ＺＫ５０Ａ快速恢复二极管。芯片厚３２０μｍ，ｎ型衬底电阻率３０～５０Ω·ｃｍ。将二极管芯片置于ＪＪ１．２型电子静电加速器扫描盒下，在大气室温环境下用电子束照射。为试验辐照...

关 键 词：电子辐照 辐照电子剂量 半导体二极管 

分 类 号：TN310.5[电子电信—物理电子学]