C_2H_2/N_2流量比对沉积Ti(C,N)薄膜影响的研究  

作　　者：辛煜[1] 范叔平[1] 吴建新[2] 金宗明[3] 杨礼富[1] 

机构地区：[1]苏州大学薄膜材料实验室,苏州215006 [2]中国科技大学结构中心,合肥230000 [3]苏州大学分析与测试中心,苏州215006

出　　处：《真空科学与技术》1997年第5期351-354,共4页Vacuum Science and Technology

摘　　要：以C2H2和N2为反应气体，Ar作载气，用多弧离子法在高速钢基片上沉积Ti（C，N）薄膜。所制备的薄膜分别用SEM，XRD，XPS等技术进行分析与测试。给果表明，薄膜结构比较致密，膜厚在1．5～20μm。薄膜呈现了较强的（111）择优取向，且该取向与流量比r＝C2H2／N2有关、薄膜的主要构成是Ti（C，N），但膜中有石墨相存在。

关 键 词：多弧离子法 高速钢 薄膜 

分 类 号：TG142.45[一般工业技术—材料科学与工程] TB43[金属学及工艺—金属材料]