CCl2与CH3CHO插入反应的量子化学及电子密度拓扑研究  

作　　者：李志锋[1] 朱元成[1] 杨声[1] 卢小泉[2] 

机构地区：[1]天水师范学院生命科学与化学学院,天水741001 [2]西北师范大学化学化工学院甘肃省高分子材料重点实验室,甘肃兰州730070

出　　处：《科学通报》2008年第7期778-787,共10页Chinese Science Bulletin

基　　金：甘肃省教育厅科研基金(批准号:0708-11);天水师范学院科研基金(批准号:TSA0604)资助项目

摘　　要：利用密度泛函和自然键轨道理论及高级电子耦合簇和电子密度拓扑方法,对单、三重态CCl2与CH3CHO中C—H插入反应的微观机理进行了研究.在B3LYP/6-31G(d)水平上优化了反应通道各驻点的几何构型.在CCSD(T)/6-31G(d,p)水平上计算了各物种的单点能量,并对总能量进行了校正.计算表明,主反应通道均在单重态势能面中进行,单重态CCl2与CH3CHO中的Cα—H键[反应Ⅰ]及Cβ—H键[反应Ⅱ]均可发生插入反应,存在三条主反应通道,产物分别为P1[CH3COHCCl2],P2[CH2COHCHCl2]和P4[CHCl2CHCHOH],从能量变化和反应速控步骤能垒两方面考虑,反应Ⅱ更容易发生.对主反应通道中的关键点进行了电子密度拓扑分析,并讨论了被插入前后C—H键中H原子的积分能量变化.

关 键 词：二氯卡宾 乙醛 插入反应 密度泛函理论 自然键轨道理论 电子密度拓扑分析 

分 类 号：O643.1[理学—物理化学]