烧结温度对PMSZT压电陶瓷性能的影响  

Effects of Sintering Temperature on the Properties of PMSZT Piezoelectric Ceramics

作　　者：何杰[1] 孙清池[1] 刘培祥[1] 李红元[1] 

机构地区：[1]天津大学先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室,天津300072

出　　处：《稀有金属材料与工程》2008年第A01期195-198,共4页Rare Metal Materials and Engineering

基　　金：天津大学先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室资助(x06050)

摘　　要：探讨了烧结温度对Sio2掺杂锑锰锆钛酸铅Pb（Mn1／3Sb2／3）0.05Zr0.47Ti0.48O3（简称PMSZT）压电陶瓷性能的影响。通过X射线衍射及扫描电镜分析Pb（Mn1／3Sb2／3）0.05Zr0.47Ti0.48O3＋0．1％（SiO2）（质量分数）陶瓷的相组成和显微结构。结果表明：合成温度900℃时，可以得到钙钛矿结构。对于适量SiO2掺杂PMSZT压电陶瓷，可以在1100～1150℃时烧结实现致密化，并且介电压电性能较好，当烧结温度为1100℃时综合性能最佳，ε33^T／c0=1290，tanδ=0．45％，d33=264pC／N，Kp=0．59，Qm=2400。The effects of sintering temperature on the properties of lead antimony-manganese zirconate titanate Pb（Mn1/3Sb2/3）0.05Zr0.47Ti0.48O3 ＋0.1wt%（SiO2） （PMSZT） ceramics were studied. The phases and microstructure were investigated by means of XRD and SEM. Pure perovskite structure was obtained by calcination at 900 ℃. The PMSZT ceramics containing SiO2 were sintered at 1100～1150 ℃. The ceramics sintered at 1100 ℃ have the relative dielectric constant ε33^T/ε0 of 1290, dielectric loss tanδ of 0.45%, piezoelectric constant d33 of 264 pC/N, electromechanical coupling factor Kp of 0.59, and mechanical quality factor Qm of 2400.

关 键 词：压电陶瓷 锑锰锆钛酸铅 SIO2 低温烧结 

分 类 号：TM282[一般工业技术—材料科学与工程]