烧结温度对PMN-PNN-PZT四元系压电陶瓷微观结构和压电性能的影响  

Effect of Sintering Temperature on the Microstructure and Piezoelectric Properties of the PMN-PNN-PZT Quaternary Piezoelectric Ceramics

作　　者：刘培祥[1] 孙清池[1] 何杰[1] 李红元[1] 

机构地区：[1]天津大学先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室,天津300072

出　　处：《稀有金属材料与工程》2008年第A01期371-373,共3页Rare Metal Materials and Engineering

基　　金：天津大学先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室资助项目

摘　　要：选取PMN-PNN-PZT四元系压电陶瓷准同型相界附近配方，采用传统的氧化物混合合成工艺制备压电陶瓷材料。研究了不同烧结温度对该四元系压电陶瓷微观结构和压电性能的影响，研究结果表明：在1180℃烧结时，晶粒生长很好，晶界处结合致密，压电性能也最好：d33=475pC／N，ε33^T/ε0=3203，Qm=82，Kp=0．59，tanδ=1．8％。PMN-PNN-PZT quaternary piezoelectric ceramics with compositions close to the morphotropic phase boundary were prepared by reaction of oxides. The effect of sintering temperatures on the material microstructures and piezoelectric properties were investigated. The optimal sintering temperature was 1180 ℃ and the properties of the piezoelectric ceramics were d33=475 pC/N, ε33^T/ε0=3203, Qm= 82, Kp=0.59, tanδ=1.8%.

关 键 词：压电陶瓷 四元系 准同型相界 微观结构 

分 类 号：TM282[一般工业技术—材料科学与工程]