Si/SiO_2多层膜的I-V特性研究  

Study of I-V properties in Si/SiO_2 multi-layer films

作　　者：马自军[1] 马书懿[2] 

机构地区：[1]甘肃农业大学理学院,甘肃兰州730070 [2]西北师范大学物理与电子工程学院,甘肃兰州730070

出　　处：《物理实验》2008年第5期12-15,共4页Physics Experimentation

基　　金：国家自然科学基金资助项目(No60276015);教育部科学技术研究资助项目(No204139);甘肃省高分子材料重点实验室开放基金资助项目(NoKF-05-03);甘肃农业大学理学院青年教师科研基金资助项目(NoLxy-02)

摘　　要：用射频磁控溅射法制备了Si/SiO2多层膜,并对多层膜的I-V特性实验结果进行了拟合.分析表明,Si/SiO2多层膜的I-V特性由多种因素决定,单一的电流输运模型不能控制Si/SiO2多层膜的I-V特性,多层膜结构及氧化硅层的厚度是影响薄膜I-V特性的主要因素.Si/SiO2 multi-layer films are fabricated using the RF magnetron sputtering technique, and the I-V properties of the multi-layer films are analyzed. The results indicate that lots of factors af- feet the I-V properties, single current carrier model could not explain the I-V properties of Si/SiO2 multi-layer films. The nano-structure of the multi-layer films and the thickness of the SiO2 layer are the primary factors affecting the I-V properties.

关 键 词：Si/SiO2多层膜 I-V特性 射频磁控溅射 电流输运 

分 类 号：O484.42[理学—固体物理]