中压VRM的拓扑结构及平面集成磁件的研究  

Research on planar integrated magnetics and topology in middle voltage VRM

作　　者：张旭涛[1] 杨玉岗[1] 曾美艳[1] 

机构地区：[1]辽宁工程技术大学电气与控制工程学院,葫芦岛125105

出　　处：《仪器仪表用户》2008年第3期87-88,共2页Instrumentation

摘　　要：本文针对中压VRM的两种高效的拓扑结构,结合交错并联技术,同步整流技术进行了分析,比较了各自的优缺点,对两种高效的拓扑结构的磁件进行了平面磁集成的研究,并用Saber软件和有限元Ansoft软件进行了仿真分析。This paper presents two high efficiency topology of VRM, Analysis with the technique of interleaving, synchronous rectification.Compared with merits and drawback of each topology, and research on planar integrated magnetic of two high efficiency topology. Simulation analysis is given by the software of Saber and Ansoft.

关 键 词：平面磁集成 交错并联 同步整流 

分 类 号：TN86[电子电信—信息与通信工程]