TiNi形状记忆合金薄膜结晶粒子的长大行为  

The Behavior of Crystalline Grain Growth in TiNi Shape Memory Alloy Thin Films

作　　者：孟繁玲[1] 李永华[2] 刘常升[1] 徐跃[3] 王煜明[4] 

机构地区：[1]东北大学材料与冶金学院,沈阳110004 [2]哈尔滨工程大学理学院,哈尔滨150001 [3]吉林大学测试科学实验中心,长春130021 [4]吉林大学材料科学与工程学院,长春130012

出　　处：《吉林大学学报（理学版）》2008年第3期531-534,共4页Journal of Jilin University:Science Edition

基　　金：中国博士后科学基金(批准号:20060390432;20060390969)

摘　　要：将采用直流磁控溅射方法制备的TiNi薄膜沉积在玻璃衬底上,在退火温度为500℃时,应用X射线衍射(XRD)和小角X射线散射(SAXS)研究室温溅射的TiNi合金薄膜结晶粒子的长大行为.结果表明,薄膜中的晶化粒子约在前13 min以成核的方式生成,而在13 min后不断长大,RG3与退火时间t的关系不完全满足Lifshitz’s动力学理论.NiTi thin films were deposited on glass substrate by d.c. magnetron sputtering. X-ray diffraction （XRD） and small-angle X-ray scattering （SAXS） were used to study the behavior of crystalline grain growth in TiNi alloy thin films annealed at 500 ℃. The thin films were deposited at room temperature.

关 键 词：TiNi薄膜 结晶粒子 小角X射线散射 

分 类 号：TG111.5[金属学及工艺—物理冶金]