光阴极RF腔中微波过程研究  

Microwave processes in a RF photoinjector

作　　者：杨振萍[1] 李正红[2] 

机构地区：[1]西南科技大学理学院,绵阳621021 [2]中国工程物理研究院应用电子学研究所,绵阳621900

出　　处：《物理学报》2008年第5期2627-2632,共6页Acta Physica Sinica

基　　金：国家自然科学基金(批准号:10347009);国家高技术研究发展计划(批准号:863-803-403)资助的课题~~

摘　　要：由于光阴极RF腔注入器中电子束的脉冲结构由激光控制的特点,根据其电子束脉冲结构的特点,利用微波腔的等效电路,给出了这种微波腔中微波场变化公式,和关于光阴极RF腔的最佳耦合计算公式,并以CAEP光阴极RF腔注入器为例进行理论分析,给出这些变化对电子束参数(如能散度)的影响.The equivalent-circuit method is adopted to study microwave processes in an RF photoinjector, and the optimized coupling between the input mcirowave system and the RF cavity is theoretically obtained based on the micro-pulse properties of the RF phtoinjector. A CAEP RF photoinjector is theoretically analyzed, and the electron beam energy spread of micro-pulses induced by beam load is also investigated.

关 键 词：光阴极RF腔注入器 光阴极 注入器 能散度 

分 类 号：O462[理学—电子物理学]