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作 者:丁正新[1,2] 盛世善 朱俊发[1,2] 朱晓雷 熊国兴[1,2] 庄叔贤
机构地区:[1]中国科学技术大学化学物理系 [2]中国科学院大连化学物理研究所
出 处:《Chinese Journal of Chemical Physics》1997年第3期237-240,共4页化学物理学报(英文)
基 金:催化基础国家重点实验室资助
摘 要:用程序升温碳化法在CH4/H2气流中,由前驱体MoO2/C出发,制备了活性炭担载的高分散Mo2C/C催化剂,并用XPS和XRD等方法考察了制备温度、钼含量、钝化处理和氢还原活化对催化剂表面状态的影响,680℃碳化制得的具有高甲烷活性的Mo2C/C催化剂表面钼中,以Mo4+组分为主。C1s单峰位于284.5eV,未发现反映C-Mo键合的低结合能的C1s峰。600℃氢还原后,表面的O/Mo原子比仍在0.4~0.5之间。结合其他常规测试结果,对表面活性中心进行了初步的推测。The highly dispersed Mo 2C catalysts supported on charcoal were prepared by temperature-programmed carburization of precursor MoO 2/C in CH 4/H 2 mixtures.The effects of carburization temperature,Mo-loading,passivation and H 2-reduction on the surface properties were studied by XRD,XPS,CO uptake and specific surface area measurements.The Mo 2C/C catalysts prepared at 680℃ had a high activity in methanation.After H 2-reduction of these passivated catalysts at 600℃,an O/Mo atomic ratios of 0.4~0.5 and a preferential component of Mo 4+ were observed on surface.Only a single peak of C1s was detected at 284.5eV.The nature of active sites is discussed.
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