亚波长结构的抗反射特性三维TLM方法模拟  

3D TLM Method Simulation for Antireflection Characteristics of Subwavelength Structures

作　　者：刘汉玉[1] 王庆康[1] 

机构地区：[1]上海交通大学微纳科学技术研究院,薄膜与微细技术教育部重点实验室,微米/纳米加工技术国家级重点实验室,上海200030

出　　处：《光电子技术》2008年第1期50-54,共5页Optoelectronic Technology

基　　金：上海市科委纳米科技专项资助项目(0652nm004)

摘　　要：传输线矩阵(Transmission line matrix,以下简称TLM)方法,根据场方程和传输线方程之间的相似性,用等效分布传输线网络模拟给定结构,在时间和空间上进行离散化,是一种强有力的三维时域电磁场数值仿真算法。简要介绍三维扩展型结点TLM方法的模型、激励源和边界条件,并使用该方法对亚波长结构的抗反射特性进行模拟研究,为进一步深入探讨该结构的抗反射特性、进行优化设计提供依据。Transmission line matrix method, modeling structures by equivalent TLM network in discrete time and discrete space-based on the equivalence of field and TLM equations, becomes an invaluable 3D time-domain numerical method for the microwave simulations. After the model, input and boundaries of the 3D TLM method are reviewed, this method is implied to simulate the antireflection characteristics of subwavelength structures. It offers the fundamental for further researches and optimizing design of antireflection subwavelength structures.

关 键 词：亚波长结构 传输线矩阵方法 传输线矩阵方法 抗反射 

分 类 号：TN25[电子电信—物理电子学]