强发射电流反铁电冷阴极材料实验研究  

作　　者：盛兆玄[1,2] 冯玉军[1] 徐卓[1] 孙新利[2] 黄璇[1] 

机构地区：[1]西安交通大学电子材料研究所,西安710049 [2]第二炮兵工程学院103教研室,西安710025

出　　处：《西安交通大学学报》2008年第6期778-778,共1页Journal of Xi'an Jiaotong University

摘　　要：采用固态烧结工艺制备了位于反铁电／铁电相界附近的PbLa（Zr，Sn，Ti）O3（PLZST）反铁电陶瓷样品．通过测定样品在快速单脉冲电压激励下的电子发射特性，得到了激励电压对发射电流的影响规律，发射电流随激励电压增加而增加，当激励电压大于1．5kV时，发射电流趋于饱和．在单脉冲激励下进行电子发射实验，得到如下结果：在激励电压为800V、抽取电压为0V的条件下，发射电流密度为1．27A／cm^2；当抽取电压增加到4kV时，获得了1700A／cm^2的大发射电流密度．

关 键 词：发射电流密度 反铁电 材料实验 冷阴极 电子发射特性 激励电压 电压激励 陶瓷样品 

分 类 号：TM221[一般工业技术—材料科学与工程] TQ174.756[电气工程—电工理论与新技术]