一种新颖的具有带隙结构的误差放大器设计  

Design of a Novel Error Amplifier with Band-Gap Structure

作　　者：王松林[1] 洪益文[1] 来新泉[1] 吕亚兰[1] 

机构地区：[1]西安电子科技大学电路CAD研究所,西安710071

出　　处：《电子器件》2008年第3期838-840,844,共4页Chinese Journal of Electron Devices

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60172004);西安应用材料创新基金资助项目(XA-AM-200504)

摘　　要：电源电压过低时,开关电源转换器中的带隙基准源及误差放大器不能正常工作,针对这一问题提出了一款低电压具有带隙结构的误差放大器。本文阐述了该结构的工作原理,并对整体结构进行分析。采用0.8μm BiCMOS工艺,在1.4V的电源电压下,通过HSPICE进行前仿真验证,得到其开环增益为63.4dB,电源抑制比为106.4dB。A low-voltage Error Amplifier with band-gap structure is presented aimed at the problem of the malfunction of the band-gap and Error Amplifier at low supply-voltage in DC-DC convertor. The operational principle is described and the whole structure is analyzed. Based on 0.8 μm BiCMOS process and under minimum supply voltage of 1.4V, the design is verified using HSPICE, with open-loop gain 63. 4 dB and power supply rejection ratio 106. 4 dB.

关 键 词：DC-DC转换器 带隙结构 HSPICE 误差放大器 折叠共源共栅 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]