基于Volterra级数的CMOS低噪声放大器的非线性分析  

Nonlinear Analysis on Low Noise CMOS Amplifiers Based on Volterra Series

作　　者：项莉萍[1] 柯导明[2] 

机构地区：[1]六安职业技术学院信息工程系,安徽六安237158 [2]安徽大学电子科学与技术学院,合肥230039

出　　处：《太原科技大学学报》2008年第3期196-199,共4页Journal of Taiyuan University of Science and Technology

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60576066);安徽省教育厅重点科研计划资助项目(2006KJ012A)

摘　　要：在分析CMOS低噪声放大器非线性来源的基础上,给出了度量低噪放线性度的重要指标三阶交调点(IP3),并利用Volterra级数作为分析工具研究了CMOS低噪声放大器的三阶交调失真。推导得到的结果与仿真得到的结果基本吻合。In this paper, nonlinear causations of low noise CMOS amplifiers are discussed. The IP3 is given, which is an important measurement index of linear degree for low noise amplifiers. The third-order intermodulation distortions of low noise CMOS amplifiers are analyzed with Volterra series. The analysis results are in agreement with the simulation results essentially.

关 键 词：CMOS 低噪声放大器 三阶交调 VOLTERRA级数 

分 类 号：TM13[电气工程—电工理论与新技术]